改良元件产率之移送室的测量方法

摘要

本发明提供例如在发光二极体(light emitting diodes;LEDs)之制造期间控制磊晶生长参数的设备与方法。实施例包括对III-V族薄膜在当基板在高温下处于多腔室群集工具之移送室中时生长之后的PL量测。在其他实施例中，当该基板安置于该移送室中时，执行薄膜厚度量测、非接触电阻率量测及粒子及/或粗糙度量测。在该移送室中执行之量测中之一或更多量测，系藉由基于自GaN基极层的发射来估计高温，而将温度校正至室温，该GaN基极层安置于该III-V族薄膜下方。在其他实施例中，温度校正系基于该GaN基极层之吸收能带边缘，该吸收能带边缘由所收集之白光反射光谱来决定。然后，将经温度校正之测量方法用于控制生长制程。

主权项

一种在一基板上磊晶生长一III-V族薄膜的系统，该系统包含：一沈积腔室，该沈积腔室用于生长该III-V族薄膜；一移送室，该移送室耦接至该沈积腔室；一雷射光源，该雷射光源耦接至该移送室，以在该基板在大于室温之一第一温度下安置于该移送室中时，照明该III-V族薄膜之一区域；一分光计，该分光计用于自该照明区域收集一发射光谱；以及一系统控制器，该系统控制器用于决定该第一温度之一估计，且用于基于所收集之该发射光谱及所估计之温度，来估计该III-V族薄膜之一室温能带隙能量。