贯孔之形成方法及具有贯孔之半导体元件的制造方法

摘要

[课题]提供贯孔之形成方法及具有贯孔之半导体元件的制造方法，一面减少用以形成贯孔的蚀刻半导体基板次数，一面可以制造增量埋入内部的材料而可以得到提高散热效果的贯孔构造。;[解决手段]金属光罩8，具有由金属光罩10的开口23露出的部分8a。金属光罩10形成得比金属光罩8厚。金属光罩10的厚度系设定为，开口23内的蚀刻大致到达半导体装置形成层4的同时，开口22的蚀刻到达源极电极1的厚度。

主权项

一种贯孔制造方法，包括：光罩准备步骤，在表面设置电极的基板的背面设置光罩；蚀刻步骤，使用上述光罩蚀刻上述基板的上述背面，形成贯孔用开口；以及埋入步骤，上述贯孔用开口内埋入具有热传导性的导电性材料，形成贯孔；其特征在于：上述光罩包括：第1光罩层，具有第1开口，露出上述基板的上述背面中与上述电极的对向位置；以及第2光罩层，具有第2开口，设置于上述第1光罩层上，比上述第1开口大，且露出上述第1光罩层的一部分；上述第1光罩层具有厚度，上述第1光罩层中从第2开口露出的露出部，以上述蚀刻步骤的蚀刻除去时，上述第1开口内的上述基板蚀刻至既定深度；上述既定深度，系进行上述蚀刻步骤的蚀刻时，上述第2开口内进行蚀刻，留下既定厚度的半导体层的阶段中，上述第1开口内的蚀刻进行到达上述电极表面的深度。