发明名称 金属导线结构及其制造方法
摘要 一种金属导线结构及其制造方法,其着重在提供一个整体之解决方法,系从现有技术中可行、低成本及可快速制程之填入技术-电镀为出发点,寻找适当之电镀晶种层来制备银导线。首先,选用半导体制程相容性高之金属,透过乾式或湿式制程,控制微结构变化与表面结构及其化性,同时可当成电镀晶种层与扩散阻障层使用,并为等向均匀,不仅可减少扩散阻障层之制作流程与成本,亦可提高元件制作速度,更相对可使电镀液流入空间变宽,进而大幅减少后续电镀之困难性;再者,本发明可从制程条件精准控制改质层之厚度,即上有改质层下有此晶种层兼扩散层之组合,相对可靠度高,与现有制程技术相容;最后,本发明更可结合常见之扩散阻障层材料,组成复合结构,单层与双层结构,进而能达到提高热稳定性与可靠度。
申请公布号 TWI460822 申请公布日期 2014.11.11
申请号 TW099144242 申请日期 2010.12.16
申请人 财团法人国家实验研究院 台北市大安区和平东路2段106号3楼 发明人 锺朝安;李美仪;锺昌贵;吴文发
分类号 H01L21/768 主分类号 H01L21/768
代理机构 代理人 欧奉璋 台北市信义区松山路439号3楼
主权项 一种金属导线结构制造方法,其至少包含下例步骤:(A)提供一基底,该基底包括一基板及一形成于该基板表面之介电层;(B)于该平坦之介电层上蚀刻出显露该基板表面之凹槽;(C)于该介电层上及凹槽内沉积一晶种层(Seed Layer);(D)施行乾式或/及湿式表面处理,使该晶种层改质;(E)施行电镀处理,于该改质后晶种层上形成有一较厚之金属层并填入于该凹槽内,其中,该金属层系为银(Ag);以及(F)施行研磨处理以平坦化该金属层,移除部分高出该介电层之金属层,露出该介电层与该凹槽内之金属层,俾以完成一金属导线结构。
地址 台北市大安区和平东路2段106号3楼