| 发明名称 |
半导体晶片及其制造方法 |
| 摘要 |
本发明实施例系包含一导电凸块位于一半导体晶片上。提供一基材，其上具有一连接垫，此连接垫上具有一凸块下金属层。铜柱具有一顶面及凹型侧壁，此顶面具有一第一宽度。一镍层，具有一顶面及一底面，位于此铜柱之顶面上。此镍层之底面具有一第二宽度。第二宽度对第一宽度之比例为约0.93至1.07。一焊料位于该盖层之该顶面上。 |
| 申请公布号 |
TWI460836 |
申请公布日期 |
2014.11.11 |
| 申请号 |
TW099143643 |
申请日期 |
2010.12.14 |
| 申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
发明人 |
黄见翎;黄英叡;林正怡;雷弋昜;林正忠;刘重希 |
| 分类号 |
H01L23/488;H01L23/482;H01L21/48 |
主分类号 |
H01L23/488 |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼 |
| 主权项 |
一种半导体晶片，包括：一基材；一连接垫，位于该基材上；一凸块下金属层，位于该连接垫上；一铜柱，位于该凸块下金属层上，该铜柱具有一顶面及一内凹之弧形侧壁，其中该顶面具有一第一宽度；一镍盖层，具有一顶面及一底面，位于该铜柱之该顶面上，该镍盖层之底面具有一第二宽度，其中该第二宽度对该第一宽度之比例为约0.93至1.07；以及一焊料，位于该镍盖层之该顶面上。 |
| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
