发明名称 |
嵌埋穿孔晶片之封装结构及其制法 |
摘要 |
一种嵌埋穿孔晶片之封装结构,系包括:介电层,系具有第一及第二表面;穿孔晶片,系嵌埋于该介电层中,且该穿孔晶片具有复数导电穿孔,并于一表面上具有电性连接各该导电穿孔且外露于该介电层之第二表面的电极垫;以及第一线路层,系设于该介电层之第一表面上,且该第一线路层与该穿孔晶片之导电穿孔之间具有电性相连接的导电盲孔,俾令高布线密度之晶片可设于该穿孔晶片之电极垫上,以整合高布线密度之半导体晶片。本发明复提供一种嵌埋穿孔晶片之封装结构之制法。本发明复提供一种嵌埋穿孔晶片之封装结构之制法。 |
申请公布号 |
TWI460834 |
申请公布日期 |
2014.11.11 |
申请号 |
TW099128554 |
申请日期 |
2010.08.26 |
申请人 |
欣兴电子股份有限公司 桃园县桃园市龟山工业区兴邦路38号 |
发明人 |
曾昭崇 |
分类号 |
H01L23/48;H01L21/768;H01L23/52;H01L21/60 |
主分类号 |
H01L23/48 |
代理机构 |
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代理人 |
陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼 |
主权项 |
一种嵌埋穿孔晶片之封装结构,系包括:介电层,系具有第一及第二表面;穿孔晶片,系嵌埋于该介电层中,且该穿孔晶片具有复数导电穿孔,并于一表面上具有电性连接各该导电穿孔且外露于该介电层之第二表面的电极垫;以及第一线路层,系设于该介电层之第一表面上,且该第一线路层与该穿孔晶片之导电穿孔之间具有电性相连接的导电盲孔。 |
地址 |
桃园县桃园市龟山工业区兴邦路38号 |