| 发明名称 |
绝缘膜材料、使用该绝缘膜材料之成膜方法及绝缘膜 |
| 摘要 |
本发明是提供如下述化学式(1)所示之电浆CVD用绝缘膜材料、使用该绝缘膜材料之成膜方法及绝缘膜。依本发明，可得到在半导体装置之层间绝缘膜等为有用之相对介电常数低并且铜扩散阻隔性高之绝缘膜。;…(1);在化学式(1)中，n是3至6之整数；;R1及R2系各自独立，为C2H、C2H3、C3H3、C3H5、C3H7、C4H5、C4H7、C4H9、C5H7、C5H9、及C5H11中之任意者。 |
| 申请公布号 |
TWI460301 |
申请公布日期 |
2014.11.11 |
| 申请号 |
TW098101874 |
申请日期 |
2009.01.19 |
| 申请人 |
独立行政法人物质 材料研究机构 日本;大阳日酸股份有限公司 日本 |
发明人 |
大野隆央;田岛畅夫;羽坂智;井上实;迫田薰;稻石美明;神力学;宫泽和浩 |
| 分类号 |
C23C16/42;H01L21/312 |
主分类号 |
C23C16/42 |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪武雄 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼;陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼 |
| 主权项 |
一种电浆CVD用绝缘膜材料，其系如下述化学式(1)所示：化学式(1)中，n是3至6之整数；R1及R2系各自独立，为C2H、C2H3、C3H3、C3H5、C3H7、C4H5、C4H7、C4H9、C5H7、C5H9、及C5H11中之任意者，将R1之碳数当做X，R2之碳数当做Y时，满足n=X+Y的关系。 |
| 地址 |
日本 |
