半导体基板、半导体基板之制造方法及半导体装置

摘要

本发明系提供一种可减低半导体-绝缘体界面间的界面准位之半导体基板、半导体基板之制造方法及半导体装置。所提供的半导体基板系具有：包含砷的III至V族化合物之半导体层；以及属于氧化物、氮化物、或氮氧化物之绝缘层；且于前述半导体层与前述绝缘层之间未检测出砷之氧化物。于该第一实施形态中，半导体基板为在以存在于前述半导体层与前述绝缘层之间的元素为对象的X射线光电子分光法而进行的光电子强度之分光观察中，在起因于砷的元素峰值之高结合能量侧并未检测出起因于氧化后之砷的氧化物峰值。

主权项

一种半导体基板之制造方法，具有：使包含砷的III至V族化合物之半导体层磊晶成长的阶段；于前述半导体层之表面施以防止砷之氧化之处理的抗氧化处理阶段；以及将前述半导体层维持于不包含砷的环境气体中而去除前述半导体层表面之多余之砷的阶段。