半导体电感器及其方法

摘要

本发明提供一种次100奈米半导体装置及用以制造装置之方法及程式产品，特别是，电感器包括设置于一介电质表面之复数个间隔平行金属线，且其每一具有决定为设计规则检测规则之函数的宽度、高度、间隔、及横截面积。针对一平坦化制程规则，决定并产生了80%金属对于20%介电质表面的一金属密度比例。在一范例中，金属线间隔空隙的总和小于金属线内部侧壁高度的总和。在一方面，选择线高度、宽度、及线间隔尺寸之至少之一，以最佳化一或多个晶片良率、晶片效能、晶片可制造性、及电感器Q系数参数。

主权项

一种次100奈米制程半导体电感器，包含：复数个间隔平行金属线，设置于一介电质表面，且连接一第一电感器埠至一第二电感器埠；每一该线具有一宽度及一横截面积，每一该线与一邻近线间隔一间隔空隙；其中该复数个线宽度、横截面积、及间隙为设计规则检测规则的一函数。