发明名称 光电晶体
摘要 本发明系揭露一种光电晶体,该光电晶体包含有一基板、一闸极层、一介电层、一主动层、一源极及一汲极及一光吸收层。闸极层系设于基板上,而介电层则设于闸极层上。主动层系具有一第一能隙并设于介电层上,而源极及汲极则系设于主动层上。其中,光吸收层系具有一第二能隙并覆盖主动层、源极及汲极,且第二能隙小于第一能隙。
申请公布号 TWI460873 申请公布日期 2014.11.11
申请号 TW099124447 申请日期 2010.07.23
申请人 国立交通大学 新竹市大学路1001号 发明人 冉晓雯;孟心飞;蔡娟娟;陈蔚宗;赵宇强
分类号 H01L31/113 主分类号 H01L31/113
代理机构 代理人 蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼
主权项 一种光电晶体,其包含:一基板;一闸极层,系设于该基板上;一介电层,系设于该闸极层上;一主动层,系具有一第一能隙并设于该介电层上;一源极及一汲极,系设于该主动层上;以及一光吸收层,系具有一第二能隙并覆盖该主动层及该源极及该汲极,且该第二能隙小于该第一能隙。
地址 新竹市大学路1001号