发明名称 |
光电晶体 |
摘要 |
本发明系揭露一种光电晶体,该光电晶体包含有一基板、一闸极层、一介电层、一主动层、一源极及一汲极及一光吸收层。闸极层系设于基板上,而介电层则设于闸极层上。主动层系具有一第一能隙并设于介电层上,而源极及汲极则系设于主动层上。其中,光吸收层系具有一第二能隙并覆盖主动层、源极及汲极,且第二能隙小于第一能隙。 |
申请公布号 |
TWI460873 |
申请公布日期 |
2014.11.11 |
申请号 |
TW099124447 |
申请日期 |
2010.07.23 |
申请人 |
国立交通大学 新竹市大学路1001号 |
发明人 |
冉晓雯;孟心飞;蔡娟娟;陈蔚宗;赵宇强 |
分类号 |
H01L31/113 |
主分类号 |
H01L31/113 |
代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼 |
主权项 |
一种光电晶体,其包含:一基板;一闸极层,系设于该基板上;一介电层,系设于该闸极层上;一主动层,系具有一第一能隙并设于该介电层上;一源极及一汲极,系设于该主动层上;以及一光吸收层,系具有一第二能隙并覆盖该主动层及该源极及该汲极,且该第二能隙小于该第一能隙。 |
地址 |
新竹市大学路1001号 |