半导体装置

摘要

一种半导体装置，藉由于遮光状态下且于氮气环境中以加氢超纯水清洗矽表面而使峰至谷(P－V)值在0.3nm以下之平坦度之理想得以实现，且藉由使电极与矽之间之工作函数差在0.2eV以下，使接触电阻降低至10-11Ωcm2以下之理想亦得以实现。藉此可获得可以10GHz以上之频率工作之半导体装置。

主权项

一种半导体装置，具有包含至少一对彼此互异之导电型电晶体的一电路，其特征在于包含：n通道电晶体，具有第1半导体层与包覆其表面至少一部分之第1闸极绝缘层；及p通道电晶体，具有第2半导体层与包覆其表面至少一部分之第2闸极绝缘层；且形成该第1半导体层通道之第1区域表面具有(100)晶面或自(100)晶面偏离±10°以内之晶面，及(110)晶面或自(110)晶面偏离±10°以内之晶面之至少其中一者；形成该第2半导体层通道之第2区域表面具有(110)晶面或自(110)晶面偏离±10°以内之晶面，及(100)晶面或自(100)晶面偏离±10°以内之晶面之至少其中一者；该第1半导体层之该第1区域顶面及该第2半导体层之该第2区域顶面皆由(110)晶面或自(110)晶面偏离±10°以内之晶面所构成；且于该第1半导体层之其中一或两侧面上设置有形成通道之第3区域，该第3区域表面具有(100)晶面或自(100)晶面偏离±10°以内之晶面；将该第1区域顶面之宽及长、该第2区域顶面之宽及长以及该第3区域表面之高及长定成使得该第1区域顶面之面积与该第3区域表面之面积的总和与该第2区域顶面之面积实质上相等或同等，且该n通道电晶体与该p通道电晶体之工作速度实质上相等或同等。