发明名称 |
光学邻近修正的补偿方法 |
摘要 |
一种光学邻近修正的补偿方法,适用于微影制程。此光学邻近修正的补偿方法包括下列步骤:提供积体电路设计图形,此积体电路设计图形包括多个主动区与一浅沟渠隔离区,而浅沟渠隔离区为主动区以外的区域。积体电路设计图形更包括与部分浅沟渠隔离区及至少部分主动区重叠的离子植入区。接着,根据积体电路设计图形从离子植入区以外的一光阻覆盖区域中找出至少一光阻线宽补偿区,而光阻线宽补偿区位于浅沟渠隔离区。之后,根据光阻线宽补偿区之宽度、光阻线宽补偿区之侧边所面对的主动区之侧边长度以及光阻线宽补偿区之侧边至所面对的主动区的距离来修正积体电路设计图形。然后,将修正后的积体电路设计图形转移到光罩上。 |
申请公布号 |
TWI460766 |
申请公布日期 |
2014.11.11 |
申请号 |
TW099113672 |
申请日期 |
2010.04.29 |
申请人 |
联华电子股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 |
发明人 |
黄俊宪;陈明瑞;吴得鸿;杨育祥 |
分类号 |
H01L21/027;G03F7/20 |
主分类号 |
H01L21/027 |
代理机构 |
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代理人 |
郭晓文 台北市文山区罗斯福路6段407号4楼 |
主权项 |
一种光学邻近修正的补偿方法,适用于一微影制程,该光学邻近修正的补偿方法包括:提供一积体电路设计图形,该积体电路设计图形包括多个主动区与一浅沟渠隔离区,该浅沟渠隔离区为该些主动区以外的区域,该积体电路设计图形更包括与部分该浅沟渠隔离区及至少部分该些主动区重叠的多个离子植入区;根据该积体电路设计图形从该些离子植入区以外的一光阻覆盖区域中找出至少一光阻线宽补偿区,而该光阻线宽补偿区位于该浅沟渠隔离区中;根据该光阻线宽补偿区之宽度、该光阻线宽补偿区之侧边所面对的该主动区之侧边长度以及该光阻线宽补偿区之侧边至所面对的该主动区的距离来修正该积体电路设计图形;以及将修正后的该积体电路设计图形转移到一光罩上。 |
地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 |