| 摘要 |
Полупроводниковый прибор на основе карбида кремния, состоящий из планарного рабочего перехода р-типа проводимости, сформированного в эпитаксиальном n-слое, и охранной системы на основе делительных колец, покрытой слоем оксида кремния, отличающийся тем, что делительные кольца охранной системы сформированы в углублениях на поверхности карбида кремния глубиной 0,2-0,4 мкм. |
