Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Kontaktbereiches auf einer Halbleiterschicht und Bauelement mit derartigem Kontaktbereich

摘要

Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterschichtenfolge für eine Leuchtdiode mit einer n-leitenden AlGaInP-basierten Schicht und einem elektrischen Kontaktbereich auf der n-leitenden AlGaInP-basierten Schicht, mit den Schritten:–Epitaktisches Aufwachsen der Halbleiterschichtenfolge auf ein Aufwachssubstrat, beginnend mit der n-leitenden AlGaInP-basierten Schicht,–Aufbringen der Halbleiterschichtenfolge auf einem Trägersubstrat mit der vom Aufwachssubstrat abgewandten Vorderseite der Halbleiterschichtenfolge, wobei eine Lotschicht zwischen dem Trägersubstrat und der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge ausgebildet wird,–anschließendes Freilegen der n-leitenden AlGaInP-basierten Schicht durch zumindest teilweises Entfernen des Aufwachssubstrates sowie etwaiger Zwischenschichten zwischen dem Aufwachssubstrat und der epitaktisch gewachsenen Halbleiterschichtenfolge,–Aufbringen einer Schicht unmittelbar auf die freigelegte n-leitende AlGaInP-basierte Schicht, die mindestens einen der Stoffe Ti, Cr, V aufweist und die eine Dicke zwischen 1 nm und 20 nm aufweist, wobei die Grenzen jeweils eingeschlossen sind,–Aufbringen von elektrischem Kontaktmaterial, welches Au und mindestens einen Dotierstoff aufweist, unmittelbar auf die Schicht, die mindestens einen der Stoffe Ti, Cr, V aufweist, wobei der Dotierstoff mindestens ein Element aus der Gruppe Ge, Si, Sn und Te enthält,–Aufbringen eines elektrischen Rückseitenkontakts auf der von der epitaktischen Halbleiterschichtenfolge abgewandten Oberfläche des Trägersubstrats,–nachfolgendes Tempern der n-leitenden AlGaInP-basierten Schicht, des elektrischen Kontaktmaterials, der Schicht, mit der das elektrische Kontaktmaterial unterlegt ist, und des Rückseitenkontakts bei einer Temperatur, bei der die Lotschicht im Wesentlichen nicht aufschmilzt, wobei das elektrische Kontaktmaterial und der Rückseitenkontakt gleichzeitig getempert werden.