| 摘要 |
<p>Im Innenumfang eines Chips mit einer Dicke (t21), welche kleiner als die Dicke (122) des Außenumfangs des Chips ist, in welchem eine Abschlussstruktur (26) bereitgestellt ist, ist ein aktives Gebiet (27) bereitgestellt. Ein n-Feldstoppgebiet (4), ein p-Kollektorgebiet (11) und eine Kollektorelektrode (12) sind in dieser Reihenfolge auf der anderen Hauptoberfläche eines n–-Driftgebiets (2) bereitgestellt. Das n-Feldstoppgebiet (4), das p-Kollektorgebiet (11) und die Kollektorelektrode (12) sind so bereitgestellt, dass sie sich vom aktiven Gebiet (27) zur Abschlussstruktur (26) erstrecken. In der Abschlussstruktur (26) ist zwischen dem n-Feldstoppgebiet (4) und dem p-Kollektorgebiet (11) ein Siliciumoxidfilm (3) bereitgestellt. Die Position (L1) des Siliciumoxidfilms (3) ab einer ersten Hauptoberfläche des n–-Driftgebiets (2) in einer ersten Tiefenrichtung ist im wesentlichen die gleiche wie die Position (L2) der Kollektorelektrode (12) ab der ersten Hauptoberfläche des n–Driftgebiets (2) in der ersten Tiefenrichtung im aktiven Gebiet (27).</p> |
