发明名称 |
Standardzellen-Metallstruktur direkt über Polysiliziumstruktur |
摘要 |
Eine Halbleiterstruktur umfasst eine erste Struktur eines aktiven Bereichs, eine Isolierstruktur, die die Struktur des aktiven Bereichs umgibt, eine erste Polysiliziumstruktur, eine erste Metallstruktur und eine zweite Metallstruktur. Die erste Polysiliziumstruktur liegt über der ersten Struktur des aktiven Bereichs. Die erste Metallstruktur liegt direkt über einem ersten Abschnitt der ersten Struktur des aktiven Bereichs. Die zweite Metallstruktur liegt direkt über einem Abschnitt der ersten Polysiliziumstruktur und in Kontakt mit ihr und in Kontakt mit der ersten Metallstruktur. |
申请公布号 |
DE102013110607(A1) |
申请公布日期 |
2014.11.06 |
申请号 |
DE201310110607 |
申请日期 |
2013.09.26 |
申请人 |
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY, LTD. |
发明人 |
HSIEH, SHANG-CHIH;ZHUANG, HUI-ZHONG;CHIANG, TING-WEI;CHEN, CHUN-FU;TSENG, HSIANG-JEN |
分类号 |
H01L21/822;G06F17/50;H01L21/762;H01L23/528;H01L27/04 |
主分类号 |
H01L21/822 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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