Halbleiterbauelement, Verfahren zur Bestimmung der Struktur eines Transistors und Basisstation für ein Mobilfunknetzwerk

摘要

Verfahren zur Bestimmung der Struktur zumindest eines Transistors (1), welcher zumindest eine erste Schicht (11), eine zweite Schicht (12) und eine vierte Schicht (14) enthält, wobei die vierte Schicht (14) auf der zweiten Schicht (12) und die zweite Schicht (12) auf der ersten Schicht (11) angeordnet ist, die erste Schicht (11) GaN enthält, die zweite Schicht (12) AlxGa1-xN und die vierte Schicht (14) ein Metall oder eine Legierung enthält, wobei das Verfahren die folgenden Schritte enthält:–Festlegen (51) der Schichtdicke d der zweiten Schicht (12)–Festlegen (52) des Aluminium-Gehaltes x der zweiten Schicht (12),–Herstellen (53) von zumindest der zweiten Schicht (12) und der ersten Schicht (11),–Bestimmen (54) des OberflächenpotentialsΦB und der Ladungsträgerdichte ns und der Ladungsträgerbeweglichkeitμund–Auswählen des Materials der vierten Schicht (14) in Abhängigkeit vom OberflächenpotentialΦB und der Ladungsträgerdichte ns.