Verfahren zur Herstellung von Gateelektrodenstrukturen mit großemεnach der Transistorherstellung

摘要

Verfahren mit: Bilden eines ersten dielektrischen Zwischenschichtmaterials (119) über einem ersten Transistor (150p) und einem zweiten Transistor (150n); selektives Ersetzen einer ersten Gateelektrodenstruktur (110) des ersten Transistors (150p) durch eine erste Austauschgateelektrodenstruktur (110p) mit einer Gateisolationsschicht (124), die ein dielektrisches Material mit großemεaufweist; selektives Ersetzen einer zweiten Gateelektrodenstruktur des zweiten Transistors (150n) durch eine zweite Austauschgateelektrodenstruktur mit einer Gateisolationsschicht, die ein dielektrisches Material mit großemεaufweist; und danach Bilden eines zweiten dielektrischen Zwischenschichtmaterials (133) über dem ersten und dem zweiten Transistor (150n) und über einer eingeebneten Oberflächentopographie der ersten dielektrischen Zwischenschicht, wobei das Bilden des zweiten dielektrischen Zwischenschichtmaterials ein Bilden eines verspannten Materials über dem ersten und/oder dem zweiten Transistor (150p, 150n) umfasst.