| 发明名称 | 存储器件及其制造方法和存取方法 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种存储器件及其制造方法和存取方法。一示例存储器件可以包括：衬底；在衬底上形成的背栅；晶体管，包括：在衬底上在背栅的相对两侧形成的鳍；以及在衬底上形成的栅堆叠，所述栅堆叠与鳍相交；以及在背栅的底面和侧面上形成的背栅介质层，其中，在栅堆叠的一侧，背栅介质层在面对鳍的区域处具有减薄部分。 | ||
| 申请公布号 | CN104134668A | 申请公布日期 | 2014.11.05 |
| 申请号 | CN201310160970.3 | 申请日期 | 2013.05.03 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 朱慧珑 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 倪斌 |
| 主权项 | 一种存储器件，包括：衬底；在衬底上形成的背栅；晶体管，包括：在衬底上在背栅的相对两侧形成的鳍；以及在衬底上形成的栅堆叠，所述栅堆叠与鳍相交；以及在背栅的底面和侧面上形成的背栅介质层，其中，在栅堆叠的一侧，背栅介质层在面对鳍的区域处具有减薄部分。 | ||
| 地址 | 100083 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||