垂直型LED芯片结构及其制备方法

摘要

本发明提出了一种垂直型LED芯片结构及其制备方法，在P-GaN层上依次形成透明导电接触层、设有分布图形的低折射率介质层和反射层三层组成的复合反射镜，可使低折射率介质层占复合反射镜较大的面积，能够大大降低反射镜对光的吸收比例，且由于透明导电接触层横向导电能力优秀，可保证电流在整个P-GaN层均匀的分布，有效提高了复合反射镜的综合有效反射率。

主权项

一种垂直型LED芯片结构的制备方法，其特征在于，包括步骤：提供生长衬底，在所述生长衬底上形成外延层，所述外延层包括依次形成的未掺杂层、N‑GaN层、量子阱层和P‑GaN层，所述未掺杂层形成在所述生长衬底上；在所述P‑GaN层上形成透明导电接触层；在所述透明导电接触层上形成低折射率介质层，对所述低折射率介质层进行光刻，刻蚀出分布图形，所述分布图形暴露出所述透明导电接触层；在所述低折射率介质层和透明导电接触层上形成反射层；在所述反射层上形成保护层及金属键合层；在所述金属键合层上键合键合衬底；去除所述生长衬底，并刻蚀所述未掺杂层，暴露出所述N‑GaN层；在所述N‑GaN层上形成N电极。