半导体装置

摘要

根据实施方式，半导体装置具备：第一主电极、第一半导体层、第一导电型衬底层、第二导电型衬底层、第一导电型的第二半导体层、第二导电型的埋入层、埋入电极、栅绝缘膜、栅电极、以及第二主电极。埋入层选择性地设置在第一导电型衬底层中。埋入电极设置在贯通第二导电型衬底层而到达埋入层的沟槽的底部，与埋入层相接触。栅绝缘膜设置在比埋入电极靠上的沟槽的侧壁。栅电极设置在沟槽内的栅绝缘膜内侧。第二主电极设置在第二半导体层之上，与第二半导体层及埋入电极电连接。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备：第一主电极；第一半导体层，设置在所述第一主电极之上；第一导电型衬底层，设置在所述第一半导体层之上；第二导电型衬底层，设置在所述第一导电型衬底层之上；第一导电型的第二半导体层，设置在所述第二导电型衬底层之上；第二导电型的埋入层，选择性地设置在所述第一导电型衬底层中；埋入电极，设置在贯通所述第二导电型衬底层而到达所述埋入层的沟槽的底部，与所述埋入层相接触；栅绝缘膜，设置在比所述埋入电极靠上的所述沟槽的侧壁；栅电极，设置在所述沟槽内的所述栅绝缘膜内侧；第二主电极，设置在所述第二半导体层之上，与所述第二半导体层及所述埋入电极电连接；以及绝缘膜，设置在所述沟槽内的所述栅电极与所述埋入电极之间。