半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供一种以简单的制造工艺，能够避免发生空隙而实现晶体管单元的高密度化的半导体装置的制造方法。半导体装置包含单元部和保护环部，单元部具有在半导体层上形成沟道型栅极并在该栅极的两侧形成有扩散层的多个晶体管单元，保护环部包围单元部，半导体装置的制造方法包含：第一工序，在形成有栅极和扩散层的半导体层的表面形成层间绝缘膜；第二工序，对形成在单元部上的层间绝缘膜通过回蚀进行薄膜化；第三工序，在层间绝缘膜的扩散层上的位置，形成孔状或沟状的接点部；第四工序，在层间绝缘膜上形成金属膜。

主权项

一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置包含单元部和保护环部，所述单元部具有在半导体层上形成沟道型栅极并在该栅极的两侧形成有扩散层的多个晶体管单元，所述保护环部包围所述单元部，所述半导体装置的制造方法的特征在于，包含:第一工序，在形成有所述栅极和所述扩散层的所述半导体层的表面形成层间绝缘膜；第二工序，使用覆盖所述保护环部并在所述单元部形成开口的掩膜，对形成在所述单元部上的所述层间绝缘膜通过基于干蚀刻的回蚀进行薄膜化；第三工序，在所述层间绝缘膜的所述扩散层上的位置，形成孔状或沟状的接点部；第四工序，在所述层间绝缘膜上形成金属膜。