| 发明名称 | 化合物太阳能电池的制造方法 | ||
| 摘要 | 为了提供能够以低成本制造高转换效率的化合物太阳能电池的方法，假定相对于基板(1)的层形成面垂直状延伸的假想中心轴X时，在该假想中心轴X的两侧，以相对的状态配置2张溅射用阴极靶材(6)、(6’)，并通过使用高频(RF)电源、或组合使用直流(DC)电源和高频(RF)电源的溅射法来进行缓冲层的形成。 | ||
| 申请公布号 | CN104137273A | 申请公布日期 | 2014.11.05 |
| 申请号 | CN201380010237.1 | 申请日期 | 2013.02.25 |
| 申请人 | 日东电工株式会社 | 发明人 | 寺地诚喜;河村和典;西井洸人;渡边太一 |
| 分类号 | H01L31/04(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/04(2014.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种化合物太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述化合物太阳能电池在基板上至少依次具备I‑III‑VI族化合物半导体层、缓冲层和透明电极层，该方法中，在相对于所述基板的层形成面垂直状延伸的假想中心轴的两侧，以相对的状态配置2张溅射用阴极靶材，并通过使用高频(RF)电源、或者组合使用直流(DC)电源和高频(RF)电源的溅射法来进行所述缓冲层的形成。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||