电流沿横向流动的电子器件用外延基板及其生产方法

摘要

提供一种使用横向作为电流传导方向的电子器件用外延基板，其中可非接触地精确测量HEMT薄层电阻。还提供一种用于有效制造电子器件用外延基板的方法，其特征在于包括在高电阻Si单晶基板的一个表面上形成杂质扩散抑制层的步骤，在前述高电阻Si单晶基板的另一表面上形成作为绝缘层的缓冲层的步骤，通过在所述缓冲层上外延生长多个第III族氮化物层以形成主层压体来制备外延基板的步骤，以及非接触测量所述外延基板的主层压体的电阻的步骤。

主权项

一种生产电子器件用外延基板的方法，其包括以下步骤：在电阻率为5000Ω.cm以上的高电阻Si单晶基板的一个表面上形成杂质扩散阻挡层；在所述高电阻Si单晶基板的另一表面上形成作为绝缘层的缓冲层；通过在所述缓冲层上外延生长多个第III族氮化物层以形成主层压体来生产外延基板；和非接触测量所述外延基板的所述主层压体的电阻，其中在外延生长多个第III族氮化物层期间所述杂质扩散阻挡层防止第III族元素从所述高电阻Si单晶基板的所述一个表面扩散到所述高电阻Si单晶基板，和其中横向为所述外延基板中的电流流动方向。