三轴磁传感器的封装方法及其封装结构

摘要

本发明涉及一种三轴磁传感器的封装方法及其封装结构，其封装方法包括有以下步骤。提供ASIC圆片及三轴磁传感器芯片，将ASIC圆片上涂覆一层光刻材料，通过选择性曝光，形成两边高于的结构；将ASIC圆片位于两边的输出/输入的焊盘进行再分布，同时对裸露的布线进行覆盖保护。将三轴磁传感器芯片通过芯片到晶圆的方式倒装到ASIC圆片的表面；在ASIC圆片两边的输出/输入焊盘进行植球。本发明采用先进的晶圆级封装技术，可制造出超小尺寸晶圆级的三轴磁传感器封装结构，同时也实现了成本的最低化。

主权项

一种三轴磁传感器的封装方法，其特征在于：其包括有以下步骤：提供ASIC圆片，其上设置有焊盘；提供三轴磁传感器芯片，对三轴磁传感器芯片进行凸点工艺处理；将ASIC圆片上的焊盘进行再分布，将ASIC圆片上用于与三轴磁传感器芯片相连的焊盘再分布到圆片的中央位置；将ASIC圆片上涂覆一层光刻材料，通过选择性曝光，形成两边高于中央的结构；将ASIC圆片位于两边的焊盘进行再分布，同时对中央裸露的布线进行覆盖保护；将三轴磁传感器芯片通过芯片到晶圆的方式倒装到ASIC圆片的表面；在ASIC圆片两边的焊盘上进行植球。