| 发明名称 | CIGS系化合物太阳能电池 | ||
| 摘要 | 一种CIGS化合物太阳能电池，其为了提供具有高转换效率的CIGS系化合物太阳能电池而在基板(1)上依次具备背面电极层(2)、CIGS光吸收层(3)、缓冲层(4)和透明电极层(5)，其中，上述缓冲层(4)由IIa族金属与Zn氧化物的混晶形成，上述混晶的由X射线衍射所显示的特性满足下述式(1)。0.5≤A/(A+B+C)<1···(1)(其中，A、B、C均不为0)A：(002)面的峰强度B：(100)面的峰强度C：(101)面的峰强度。 | ||
| 申请公布号 | CN104137272A | 申请公布日期 | 2014.11.05 |
| 申请号 | CN201380010209.X | 申请日期 | 2013.02.25 |
| 申请人 | 日东电工株式会社 | 发明人 | 寺地诚喜;河村和典;西井洸人;渡边太一 |
| 分类号 | H01L31/04(2014.01)I | 主分类号 | H01L31/04(2014.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇;李茂家 |
| 主权项 | 一种CIGS系化合物太阳能电池，其特征在于，其在基板上至少依次具备I‑III‑VI族化合物半导体层、缓冲层和透明电极层，上述缓冲层为IIa族金属与Zn氧化物的混晶，上述混晶的由X射线衍射所显示的特性满足下述式(1)，0.5≤A/(A+B+C)<1···(1)其中，A、B、C均不为0，A：(002)面的峰强度，B：(100)面的峰强度，C：(101)面的峰强度。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||