半导体器件的制作方法

摘要

本发明提供了一种半导体器件的制作方法，包括在半导体衬底上的中心区域形成有源区结构；沉积自对准硅化物区域阻挡膜(SAB)，所述SAB覆盖中心区域的有源区结构和边缘区域的半导体衬底；在所述SAB的表面涂布负光阻胶层，然后进行晶片边缘曝光，保留所述晶片边缘的负光阻胶层；涂布正光阻胶层，并进行光刻，在中心区域的SAB的表面形成图案化的正光阻胶层；以所述图案化的正光阻胶层和晶片边缘的负光阻胶层为掩膜对SAB进行刻蚀，形成SAB的图案；在显露出的有源区结构表面形成自对准金属硅化物后，依次沉积具有应力的氮化硅层和层间介质层。本发明在接触孔退火处理时，避免晶片边缘残留的具有应力的氮化硅层的劈裂。

主权项

一种半导体器件的制作方法，包括在半导体衬底上的中心区域形成有源区结构；沉积自对准硅化物区域阻挡膜，所述自对准硅化物区域阻挡膜覆盖中心区域的有源区结构和边缘区域的半导体衬底；其特征在于，该方法还包括：在所述自对准硅化物区域阻挡膜的表面涂布负光阻胶层，进行晶片边缘曝光WEE，保留所述晶片边缘的负光阻胶层；涂布正光阻胶层，进行光刻，在中心区域的自对准硅化物区域阻挡膜的表面形成图案化的正光阻胶层；以所述图案化的正光阻胶层和晶片边缘的负光阻胶层为掩膜对自对准硅化物区域阻挡膜进行刻蚀，形成自对准硅化物区域阻挡膜的图案；在显露出的有源区结构表面形成自对准金属硅化物后，依次沉积具有应力的氮化硅层和层间介质层。