应变缓减的TSV的结构和方法

摘要

一种包括针对穿板通孔(TSV)的应变缓减的半导体管芯。半导体管芯包括具有有源面的半导体基板。半导体基板包括连接到有源面的导电层。半导体管芯还包括仅延伸穿过基板的穿板通孔。穿板通孔可包括在整个穿板通孔的长度上基本恒定的直径。穿板通孔可用导电装填材料来填充。半导体管芯还包括围绕穿板通孔的隔离层。隔离层可包括两部分：在基板的有源面附近能够缓解来自导电装填材料的应力的凹槽部分，以及介电部分。凹槽部分的组成可与介电部分不同。

主权项

一种半导体管芯，包括：具有有源面的基板；耦合到所述有源面的导电层；穿板通孔，所述穿板通孔仅延伸穿过所述基板并且具有在整个穿板通孔的长度上基本恒定的直径，所述穿板通孔包括导电装填材料；以及围绕所述穿板通孔的隔离层，并且所述隔离层包括两部分：在所述基板的有源面附近能够缓解来自所述导电装填材料的应力的凹槽部分，以及介电部分，所述凹槽部分的组成与所述介电部分不同。