阵列基板及其制备方法、液晶显示装置

摘要

本发明提供一种阵列基板及其制备方法、液晶显示装置，属于液晶显示技术领域，其可解决现有的ADS模式阵列基板制造工艺复杂、透过率低、驱动效果不好的问题。本发明的阵列基板制备方法包括：在基底上依次形成第一透明导电材料层、绝缘材料层、半导体材料层、光刻胶层，并通过构图工艺形成包括栅线、栅极、栅绝缘层、半导体层、第一透明电极的图形，该栅绝缘层不超出栅极和栅线上方；形成钝化层，并在钝化层中形成与半导体层相连的源极过孔和漏极过孔；依次形成第二透明导电材料层和源漏金属层，并通过构图工艺形成包括源极、漏极、第二透明电极的图形，其中源极、漏极包括层叠的第二透明导电材料层和源漏金属层。

主权项

一种阵列基板制备方法，其特征在于，包括：步骤1：在基底上依次形成第一透明导电材料层、绝缘材料层、半导体材料层、光刻胶层，并通过构图工艺形成包括栅线、栅极、栅绝缘层、半导体层、第一透明电极的图形；其中，所述栅绝缘层不超出所述栅极和栅线上方；步骤2：在所述基底上形成钝化层，并在所述钝化层中形成与所述半导体层相连的源极过孔和漏极过孔；步骤3：在所述基底上依次形成第二透明导电材料层和源漏金属层，并通过构图工艺形成包括源极、漏极、第二透明电极的图形，其中所述源极、漏极分别通过源极过孔、漏极过孔与所述半导体层电连接，且所述源极、漏极包括层叠的第二透明导电材料层和源漏金属层。