| 发明名称 | n型扩散层形成用组合物、具有n型扩散层的半导体基板的制造方法及太阳能电池元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供含有包含施主元素的化合物、分散介质和有机填料的n型扩散层形成用组合物、具有n型扩散层的半导体基板的制造方法、以及太阳能电池元件的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN104137227A | 申请公布日期 | 2014.11.05 |
| 申请号 | CN201380010626.4 | 申请日期 | 2013.01.10 |
| 申请人 | 日立化成株式会社 | 发明人 | 佐藤铁也;吉田诚人;野尻刚;芦泽寅之助;仓田靖;町井洋一;岩室光则;织田明博;清水麻理 |
| 分类号 | H01L21/22(2006.01)I;H01L21/225(2006.01)I;C03C8/16(2006.01)I;C08L101/00(2006.01)I;C09D201/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 蒋亭 |
| 主权项 | 一种n型扩散层形成用组合物，其含有包含施主元素的化合物、分散介质和有机填料。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||