用于限制非镜像电流的方法及其电路

摘要

一种用于限制电流流动的电流限制电路和方法。电流限制电路包括具有控制电极和载流电极的晶体管。导线耦合到载流电极之一。比较器的输出通过电荷泵耦合到晶体管的控制电极。比较器的一个输入耦合到晶体管中耦合到导线的载流电极，而比较器的另一输入耦合成接收电压。优选地，导线是键合线。流经导线的电流设定出现在比较器的输入处的输入电压，比较器的该输入耦合到晶体管的载流电极。响应于在比较器的输入处的电压的比较，晶体管保持接通或它被关断。

主权项

一种用于防止电路遭受过电流的方法，包括：提供分立部件，所述分立部件包括第一半导体基底，所述第一半导体基底具有由所述第一半导体基底形成的功率MOSFET，所述第一半导体基底具有形成在表面上的漏极键合垫、源极键合垫和栅极键合垫，所述分立部件进一步包括通过第一键合线耦合到漏极键合垫的第一引线框引线，通过第二键合线耦合到漏极键合垫的第二引线框引线，通过第三键合线耦合到源极键合垫的第三引线框引线以及通过第四键合线耦合到栅极键合垫的第四引线框引线；在第二半导体基底中提供单片集成电路，所述单片集成电路包括比较器，所述比较器具有第一和第二输入以及输出；第一电阻，所述第一电阻耦合到所述比较器的第一输入；第一晶体管，具有漏极、源极和栅极，所述漏极耦合到所述比较器的第一输入，所述源极耦合到第二电阻器；以及放大器，所述放大器具有第一和第二输入，所述第一输入耦合到所述第一晶体管的源极，所述第二输入耦合用于接收电位源；以及电荷泵，所述电荷泵具有输入和输出，其中所述电荷泵的输入耦合到所述比较器的输出；在通过所述第一键合线耦合到漏极键合垫的所述第一引线框引线处产生第一电压；在通过所述第二键合线耦合到所述漏极键合垫的所述第二引线框引线处使用非镜像电流产生第二电压；利用比较器响应于比较所述第一电压与所述第二电压而产生比较电压；响应于所述比较电压在所述电荷泵的输出处产生输出信号，所述输出信号用作所述功率MOSFET的栅极电压；以及响应于所述栅极电压限制所述非镜像电流通过所述第二键合线的流动，其中所述栅极电压改变流过所述分立部件的晶体管的所述非镜像电流的水平。