发明名称 成膜装置、成膜方法和半导体装置
摘要 本发明提供一种成膜装置(1),具有:负载涂布对象物(W)的平台(2),使平台(2)在水平面内旋转的旋转机构(3),在平台(2)上负载的涂布对象物(W)上的规定区域中涂布材料而形成涂布膜(M)的涂布部(4),产生能溶解涂布膜(M)的溶剂蒸气的供气部(5),对在平台(2)上负载的涂布对象物(W)上的涂布膜(M)喷吹由供气部(5)产生的溶剂蒸气的喷吹部(6),控制由喷吹部(6)喷吹的上述溶剂蒸气量,使其为能溶解涂布膜(M)、涂布膜(M)的表层侧部分的粘度比涂布对象物(W)侧部分的粘度低的量的控制部(9)。
申请公布号 CN102150234B 申请公布日期 2014.11.05
申请号 CN200980135993.0 申请日期 2009.11.05
申请人 株式会社东芝 发明人 佐藤强;近藤弘康;樱井直明;添田胜之;大城健一;木村修一
分类号 H01L21/027(2006.01)I;G03F7/16(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H01L21/312(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I 主分类号 H01L21/027(2006.01)I
代理机构 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人 钟晶;李昆岐
主权项 一种成膜装置,其特征在于,具有:负载涂布对象物(W)的平台(2),在上述平台(2)上负载的上述涂布对象物(W)上的规定区域中涂布材料而形成涂布膜(M)的涂布部(4),具有贮藏溶剂的釜(11)、用于使上述釜(11)内的溶剂蒸气化的第1加热器(12)、测定釜(11)内的溶剂蒸气温度的温度感应器(13),且产生能溶解上述涂布膜(M)的溶剂蒸气的供气部(5),对在上述平台(2)上负载的上述涂布对象物(W)上的上述涂布膜(M)喷吹由上述供气部(5)产生的上述溶剂蒸气的喷吹部(6),连接上述供气部(5)和上述喷吹部(6)、并用于将由上述供气部(5)生成的上述溶剂蒸气向喷吹部(6)运送的运送管(5b),用于向上述运送管(5b)供应热的第2加热器(14),用于向上述喷吹部(6)供应热的第3加热器(16),控制上述第1加热器(12)、上述第2加热器(14)和上述第3加热器(16)的控制部(9),上述控制部(9)通过基于上述温度感应器(13)测定的温度调整上述第1加热器(12)的温度,使由上述供气部(5)生成的上述溶剂蒸气量成为上述涂布膜(M)的表层侧部分的粘度比上述涂布对象物(W)侧部分的粘度低的量,从而将上述喷吹部(6)相对于上述涂布膜(M)喷吹的溶剂蒸气量控制成上述涂布膜(M)的圆周边缘部分的突起减少的量,并且通过控制上述第2加热器(14)使得上述运送管(5b)的温度比上述溶剂蒸气的露点温度高,控制上述第3加热器(16)使得上述喷吹部(6)的温度比上述溶剂蒸气的露点温度高,从而控制成从上述供气部(5)向上述喷吹部(6)运送的上述溶剂蒸气维持在比上述溶剂蒸气的露点温度高的温度下且上述喷吹部(6)内的上述溶剂蒸气比上述溶剂蒸气的露点温度高的温度向上述涂布对象物(W)上的上述涂布膜(M)进行喷吹。
地址 日本东京都