一种基于纳米线交叉互联的纳米线器件制备方法

摘要

本发明提供一种基于纳米线交叉互联的纳米线器件制备方法。本发明的特征是：在半导体衬底的顶层薄层上通过刻蚀形成台面结构，以衬底表面作为基底生长具有“芯-包层”器件结构的纳米线，纳米线的包层与台面侧壁的电连接通过后续生长的纳米线实现；其中后续生长的纳米线，是以台面的侧壁或以“芯-包层”纳米线的侧壁作为生长的基底，侧向生长从而实现纳米线器件的包层与台面侧壁之间的电连接。该方法无需采用精细昂贵的电子束光刻工艺、也无需移动和操控纳米线，具有工艺简单、适合规模化制备的特点。

主权项

一种具有“芯—包层”结构纳米线器件的电极制备方法，其特征是：在具有台面结构的半导体衬底上，以台面底部作为基底生长具有“芯—包层”结构的纳米线，该纳米线的包层与台面侧壁的电连接通过后续生长的侧向纳米线实现，所述的半导体衬底含有中间绝缘层，且衬底顶部的掺杂类型与衬底底部的掺杂类型不同。