一种大晶粒单层六方氮化硼的制备方法

摘要

一种大晶粒单层六方氮化硼的制备方法，以硼烷氨络合物为固态源，先将基底升温，控制固态源加热挥发时提供气态源的分压为0.01～1Pa，在基底表面生长10～480min，形成原子层厚的、具有大晶粒尺寸的六方氮化硼，再以1～100℃∕min的速度降至室温。其中，基底为卷成管状、或折叠成其他任意形状放置。本发明在现有化学气相沉积法的基础上，公开了一种采用极低硼、氮源分压生长六方氮化硼的方法,使用分压越低，晶粒尺寸越大，但是生长时间越长,晶粒尺寸可达到1000μm²。并且，使基底从传统的平放改为卷成管状、或折叠成其他任意形状放置可大幅减少所需的生长时间。

主权项

一种大晶粒单层六方氮化硼的制备方法，以硼烷氨络合物为固态源，采用化学气相沉积的方法在基底上生长六方氮化硼，其特征在于：调节固态源加热温度使沉积过程中提供恒定的极低气态源分压，分压范围为0.01～1Pa。