MOS晶体管的形成方法

摘要

一种MOS晶体管的形成方法，包括如下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅极结构；刻蚀所述半导体衬底，在所述栅极结构之间形第一沟槽，所述第一沟槽底部的宽度大于所述栅极结构之间的间距；刻蚀所述第一沟槽形成第二沟槽；在所述第二沟槽内形成源区、漏区。本技术方案通过改变干法刻蚀的工艺参数，在半导体衬底内形成沟槽，并且所述沟槽的底部较宽，从而避免了后续进行湿法刻蚀时在沟槽底部出现尖角现象。

主权项

一种MOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成栅极结构；干法刻蚀所述半导体衬底，在所述栅极结构之间形成第一沟槽，所述第一沟槽底部的宽度大于所述栅极结构之间的间距，所述干法刻蚀的参数如下：反应气体包括CF₄、Cl₂、O₂以及Ar，其中所述CF₄的气体流量为10‑200sccm、所述Cl₂的气体流量为10‑200sccm、所述O₂的气体流量为10‑50sccm、所述Ar的气体流量为50‑200sccm；反应时间为10s‑60s；反应压力为10‑100mTorr；偏压为10‑200W；变压器耦合等离子体功率为100‑1000W；刻蚀所述第一沟槽形成第二沟槽；在所述第二沟槽内形成源区、漏区。