| 发明名称 | 外延硅晶片的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明是一种外延硅晶片的制造方法，所述外延硅晶片的制造方法是在将单晶硅切片而获得的硅晶片表面上形成外延层，从而制造外延硅晶片的方法，所述外延硅晶片的制造方法的特征在于，至少，对掺杂砷并使电阻率为1.0～1.7mΩ·cm的单晶硅进行切片而获得硅晶片，通过在850～1200℃下对该硅晶片进行热处理，使其产生凹穴，并通过对该经热处理的硅晶片进行镜面研磨，去除所述产生的凹穴，然后，在该经镜面研磨的硅晶片表面上形成外延层。其目的在于提供一种外延硅晶片的制造方法，如此一来，当在掺杂有砷的低电阻硅晶片上进行外延生长时，利用简易的方法，可以防止产生堆垛层错。 | ||
| 申请公布号 | CN102498545B | 申请公布日期 | 2014.11.05 |
| 申请号 | CN201080036536.9 | 申请日期 | 2010.07.27 |
| 申请人 | 信越半导体股份有限公司 | 发明人 | 樫野久寿;黛雅典 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I;C23C16/24(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 崔香丹;张永康 |
| 主权项 | 一种外延硅晶片的制造方法，其是在将单晶硅切片而获得的硅晶片表面上形成外延层从而制造外延硅晶片的方法，其特征在于，至少，对掺杂砷并使电阻率为1.0～1.7mΩ·cm的单晶硅进行切片而获得硅晶片，通过在850～1200℃下对该硅晶片进行热处理，使该硅晶片产生凹穴，并通过对该经热处理的硅晶片进行镜面研磨，去除所述产生的凹穴，然后，在该经镜面研磨的硅晶片表面上形成外延层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||