发明名称 一种含有硅通孔的压力传感器封装结构
摘要 本发明提出一种含有硅通孔的压力传感器封装结构,用硅底座代替传统的硼磷硅玻璃基座,采用倒装焊技术、键合技术(如CuSn键合、AuSn共晶键合、Cu-Cu键合、Au-Au键合等)实现压力传感器的气密性真空封装;采用单环和双环式键合金属环封装,在保证测试灵敏度的情况下,对于不同压阻条分布的压力传感器封装起到了减小键合应力的作用;采用导电柱替代金属引线作为信号引出线,增加了互连可靠性。本发明相对于传统采用硅玻静电键合技术、金属引线键合技术、金属隔离膜技术和密闭腔充灌硅油技术的封装结构,取消了充灌硅油和金属隔离膜,有利于提升压力传感器灵敏度,也可用于动态压力检测,同时具有体积小、集成度高的优点。
申请公布号 CN102749167B 申请公布日期 2014.11.05
申请号 CN201210210744.7 申请日期 2012.06.20
申请人 北京大学 发明人 刘振华;陈兢;金玉丰
分类号 G01L19/14(2006.01)I;B81B7/00(2006.01)I 主分类号 G01L19/14(2006.01)I
代理机构 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 代理人 余长江
主权项 一种含有硅通孔的压力传感器封装结构,其特征在于,包括硅底座和压力传感器芯片,在硅底座上设有通孔,其内填充有导电材料,形成导电柱;导电柱上表面制备导电微凸点;所述导电微凸点的外围有一圈气密性材料构成的键合金属环;所述压力传感器芯片倒装键合在所述硅底座上。
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