半导体晶片表面保护用薄片、使用其的半导体晶片的保护方法以及半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供一种具有对于半导体晶片的电路形成面的凹凸的良好密合性和磨削后的良好剥离性的半导体晶片表面保护薄片。具体来说，提供一种半导体晶片表面保护用薄片，其具有：在25℃时的储能模量E（25）为1GPa以上的基材层；在25℃时的储能模量E_A（25）和在60℃时的储能模量E_A（60）满足E_A（60）/E_A（25）<0.1的关系，并且前述在60℃时的拉伸弹性模量E_A（60）为0.005～1MPa的树脂层（A）；和在60℃时的储能模量E_B（60）为1MPa以上、高于前述树脂层（A）在60℃时的储能模量E_A（60），并且厚度为0.1μm以上且不足100μm的树脂层（B）。

主权项

一种半导体晶片表面保护用薄片，其具有：在25℃时的拉伸弹性模量E25为1GPa以上的基材层；在25℃时的拉伸弹性模量E_A25和在60℃时的拉伸弹性模量E_A60满足E_A60/E_A25<0.1的关系，并且所述在60℃时的拉伸弹性模量E_A60为0.005～1MPa的树脂层A；和在60℃时的拉伸弹性模量E_B60为1MPa以上、高于所述树脂层A在60℃时的拉伸弹性模量E_A60，并且厚度为0.1μm以上且不足100μm的树脂层B，在所述基材层和所述树脂层B之间配置有1层以上的所述树脂层A，所述树脂层A的厚度t_A大于在半导体晶片的电路形成面上所设置的高低差。