| 发明名称 | 将用于制备传感器芯片的晶圆切割成晶粒的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种将用于制备传感器芯片的晶圆切割成晶粒的方法，属于半导体芯片封装技术领域。该方法包括步骤：（1）提供后道工序结束后、封装准备前的晶圆；（2）在所述晶圆正面贴保护膜；（3）研磨所述晶圆背面实现减薄；（4）所述晶圆背面贴划片膜；（5）在高于常温条件下揭去所述保护膜；（6）划片切割所述晶圆；以及（7）清洗表面颗粒并吹干。该方法具有所切割的晶粒成品率高的特点。 | ||
| 申请公布号 | CN102760699B | 申请公布日期 | 2014.11.05 |
| 申请号 | CN201110106835.1 | 申请日期 | 2011.04.27 |
| 申请人 | 无锡华润安盛科技有限公司 | 发明人 | 卜林 |
| 分类号 | H01L21/78(2006.01)I;B28D5/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 臧霁晨;高为 |
| 主权项 | 一种将用于制备传感器芯片的晶圆切割成晶粒的方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）提供后道工序结束后、封装准备前的晶圆；（2）在所述晶圆正面贴保护膜；（3）研磨所述晶圆背面实现减薄；（4）所述晶圆背面贴划片膜；（5）在高于常温条件下揭去所述保护膜；（6）划片切割所述晶圆；以及（7）清洗表面颗粒并吹干；其中，所述步骤（3）中，依次包括粗磨过程和精磨过程；所述研磨过程通过双轴研磨设备完成；其中，所述粗磨过程使用第一轴，所述精磨过程中使用第二轴，通过控制所述第一轴和所述第二轴的纵向进给速度以控制研磨的速度；其中，所述粗磨过程被分为三个子阶段，三个子阶段期间，所述第一轴的纵向进给速度的范围依次为5±2 微米/秒、3±2微米/秒、3±2微米/秒；其中，所述精磨过程被分为三个子阶段，三个子阶段期间，所述第二轴的纵向进给速度的范围依次为0.5±0.2 微米/秒、0.3±0.2微米/秒、0.3±0.2微米/秒。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新区锡梅路55号 | ||