发明名称 | 低噪声压控振荡器偏置电路及频率源自校准方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种低噪声压控振荡器偏置电路及频率源自校准方法,分压电路包括依次串联的电阻R1、第一双极结型晶体管和第二双极结型晶体管,R1与BJT1的集电极连接,BJT1的发射极与BJT2的集电极连接,BJT1的集电极与其基极相接,BJT2的集电极与其基极相接。自校准状态时,偏置电路输出的电压分别与LC压控振荡器的调谐电压输入端及电源端连接。本发明偏置电路输出噪声较小,且不必在外部加滤波电容,可有效减少芯片的管脚,降低成本;频率源处于自校准状态时,偏置电路输出的电压分别与LC压控振荡器的调谐电压输入端及电源端相接,可有效消除电阻和BJT管在全温度范围内的变化而导致的输出DC点变化所带来的影响,避免在自校准状态时频率源受温度的变化而变化。 | ||
申请公布号 | CN104135233A | 申请公布日期 | 2014.11.05 |
申请号 | CN201310159077.9 | 申请日期 | 2013.05.02 |
申请人 | 成都国腾电子技术股份有限公司 | 发明人 | 李旺 |
分类号 | H03B5/32(2006.01)I | 主分类号 | H03B5/32(2006.01)I |
代理机构 | 成都金英专利代理事务所(普通合伙) 51218 | 代理人 | 袁英 |
主权项 | 低噪声压控振荡器偏置电路,与压控振荡器配合使用,为频率源电路中的压控振荡器提供偏置,其特征在于:它由恒定电压源、分压电路和滤波电容C1组成,所述的分压电路包括依次串联的电阻R1、第一双极结型晶体管BJT1和第二双极结型晶体管BJT2,电阻R1与第一双极结型晶体管BJT1的集电极连接,第一双极结型晶体管BJT1的发射极与第二双极结型晶体管BJT2的集电极连接,第一双极结型晶体管BJT1的集电极与其基极相接,第二双极结型晶体管BJT2的集电极与其基极相接;电阻R1与第一双极结型晶体管BJT1的基极之间并联第一分压输出支路;第一双极结型晶体管BJT1的发射极与第二双极结型晶体管BJT2的基极之间并联第二分压输出支路;第一分压输出支路与第二分压输出支路并联后与滤波电容C1串接。 | ||
地址 | 610041 四川省成都市高新区高朋大道1号 |