发明名称 低噪声压控振荡器偏置电路及频率源自校准方法
摘要 本发明公开了一种低噪声压控振荡器偏置电路及频率源自校准方法,分压电路包括依次串联的电阻R1、第一双极结型晶体管和第二双极结型晶体管,R1与BJT1的集电极连接,BJT1的发射极与BJT2的集电极连接,BJT1的集电极与其基极相接,BJT2的集电极与其基极相接。自校准状态时,偏置电路输出的电压分别与LC压控振荡器的调谐电压输入端及电源端连接。本发明偏置电路输出噪声较小,且不必在外部加滤波电容,可有效减少芯片的管脚,降低成本;频率源处于自校准状态时,偏置电路输出的电压分别与LC压控振荡器的调谐电压输入端及电源端相接,可有效消除电阻和BJT管在全温度范围内的变化而导致的输出DC点变化所带来的影响,避免在自校准状态时频率源受温度的变化而变化。
申请公布号 CN104135233A 申请公布日期 2014.11.05
申请号 CN201310159077.9 申请日期 2013.05.02
申请人 成都国腾电子技术股份有限公司 发明人 李旺
分类号 H03B5/32(2006.01)I 主分类号 H03B5/32(2006.01)I
代理机构 成都金英专利代理事务所(普通合伙) 51218 代理人 袁英
主权项 低噪声压控振荡器偏置电路,与压控振荡器配合使用,为频率源电路中的压控振荡器提供偏置,其特征在于:它由恒定电压源、分压电路和滤波电容C1组成,所述的分压电路包括依次串联的电阻R1、第一双极结型晶体管BJT1和第二双极结型晶体管BJT2,电阻R1与第一双极结型晶体管BJT1的集电极连接,第一双极结型晶体管BJT1的发射极与第二双极结型晶体管BJT2的集电极连接,第一双极结型晶体管BJT1的集电极与其基极相接,第二双极结型晶体管BJT2的集电极与其基极相接;电阻R1与第一双极结型晶体管BJT1的基极之间并联第一分压输出支路;第一双极结型晶体管BJT1的发射极与第二双极结型晶体管BJT2的基极之间并联第二分压输出支路;第一分压输出支路与第二分压输出支路并联后与滤波电容C1串接。
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