铜铜键合的方法

摘要

本发明涉及一种铜铜键合的方法，其特征是，包括以下工艺步骤：（1）对基板及芯片进行表面预处理，使基板的表面粗糙度<0.3nm，无尺寸大于1μm的颗粒，基板上铜焊点突起高度为100～500nm，表面平整度<5%；（2）在基板上旋涂或真空层压覆盖一层覆盖材料，覆盖材料为环氧树脂、光解胶膜、背面胶膜、热塑性树脂或光阻材料；（3）将芯片的铜焊点与基板的铜焊点对正；（4）在充满惰性气体的密闭空间里，利用软性压头将芯片固定在基板上，温度为150～250℃，软性压头的压力为50～100kN，时间为30分钟～3小时；（5）固化后，按照上述步骤在芯片上进行多层芯片的堆叠。本发明能够实现铜线超密集脚距更高密度的集成，并在低于200℃的温度条件下完成键合后的固定。

主权项

一种铜铜键合的方法，其特征是，包括以下工艺步骤：（1）对基板及芯片进行表面预处理，使基板的表面粗糙度<0.3nm，基板铜焊点突起高度为100～500nm，表面平整度<5%；（2）在基板上旋涂或真空层压覆盖一层覆盖材料，覆盖厚度为1～5μm，覆盖材料为环氧树脂、光解胶膜、背面胶膜、热塑性树脂或光阻材料； （3）在基板表面精密定位，将芯片铜焊点与基板铜焊点对正，定位方法采用光学对准、红外对准或模板对准；（4）按照步骤（3）的方法将芯片布满整个基板；（5）在充满惰性气体的洁净密闭空间里，利用软性的压头将已粘结在基板上的芯片固定在基板上，工艺要求如下：温度为150～250℃，软性压头的压力为50～100kN，固化时间为30分钟～3小时；（6）固化结束之后，继续按照步骤（1）到（5）的方法在芯片上进行多层芯片的堆叠。