发明名称 |
一种多晶硅片的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种多晶硅片的制备方法,该方法先在石英坩埚底部铺设一层颗粒料或其他晶硅碎料,厚度约10~40mm,再将硅料和母合金放入石英坩埚中,进料,抽真空,加热使硅料熔化;熔化过程中,加热器温度控制1530-1550℃,隔热笼提升至开度a为5~80mm,并控制TC2熔化阶段温度不超过1370℃,控制底部颗粒料层剩余10—30mm,进入降温阶段,梯度慢慢降温同时慢慢打开隔热笼;最后长晶,形成晶粒小且均匀的多晶硅。采用本发明方法制成的多晶硅片,晶粒均匀,电池效率比一般高效多晶硅片要高0.1-0.2%,整锭硅片的平均电池效率达到17.8%以上,效率17.6%以上硅片比例大于80%。 |
申请公布号 |
CN104131339A |
申请公布日期 |
2014.11.05 |
申请号 |
CN201410342919.9 |
申请日期 |
2014.07.18 |
申请人 |
中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
发明人 |
段金刚;明亮;谭晓松;黄俊;瞿海斌;陈国红;杨晓生 |
分类号 |
C30B28/06(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I |
主分类号 |
C30B28/06(2006.01)I |
代理机构 |
长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 |
代理人 |
马强;周栋 |
主权项 |
一种多晶硅片的制备方法,采用多晶硅铸锭炉,其特征在于,所述方法包括如下步骤:(1)在喷涂好的石英坩埚底部铺设粒径为2mm—5mm的碎料,形成10mm—40mm厚度的颗粒料层;铺底完成后,将硅料和母合金装入石英坩埚中,然后将石英坩埚装入铸锭炉内,闭合上下炉体,抽真空,再关闭隔热笼,加热使硅料进入熔化阶段;所述母合金的加入比例根据目标电阻值计算得到;(2)进入熔化阶段后,控制加热温度为1530℃—1550℃,隔热笼提升至开度(a)为5 mm—80mm,并控制熔化阶段TC2温度不超过1380℃,当石英坩埚底部颗粒料层高度为10mm—30mm时,进入如下步骤(3)至(5)所述的降温阶段;(3)控制加热器温度为1490℃—1530℃,在10min—20min内将隔热笼提升至开度(a)为10 mm—30mm;(4)控制加热器温度为1450℃—1480℃,在10min—30min内将隔热笼提升至开度(a)为10 mm—50mm;(5)控制加热器温度为1420℃—1440℃,在10min—50min内将隔热笼提升至开度(a)为10 mm—80mm;;其中,步骤(4)中隔热笼开度(a)大于第(3)步中隔热笼开度(a);步骤(5)中隔热笼开度(a)大于等于步骤(4)中隔热笼开度(a);步骤(3)至(5)所述的熔化阶段结束后进入如下步骤(6)至(7)所述的长晶阶段;(6)长晶初期控制加热温度为1425℃—1440℃,隔热笼提升速度为4 mm/h—8mm/h,使得石英坩埚底部颗粒料层中的碎多晶形成一层均匀的小晶粒籽晶;(7)长晶中后期控制隔热笼的提升速度为0 mm/h—4mm/h,控制加热器的降温速率为1℃/h—2℃/h,保持微凸的固液界面,竖直向上定向凝固生成晶粒均匀的多晶硅。 |
地址 |
410111 湖南省长沙市天心区新开铺路1025号 |