发明名称 |
一种制备氮化物单晶体材料的工业化装置及方法 |
摘要 |
本发明公开一种制备氮化物单晶体材料的工业化装置及方法,其核心包括一套提供氮气源的装置。本发明通过一种加压装置调节N<sub>2</sub>终端口处气液界面两边的压强差,来控制N<sub>2</sub>进入Ga-Na溶液的流量及时间。采用该设计可以克服传统装置N<sub>2</sub>源供给不足的局限,具有N<sub>2</sub>源总量可调、N<sub>2</sub>源输入位置可选、N<sub>2</sub>源供给时间可控等优点,充分满足目标GaN晶体生长所需的N<sub>2</sub>源,为增加目标GaN晶体生长速率、多片式GaN晶体同时生长提供了有利条件,大大降低了制备成本。 |
申请公布号 |
CN104131351A |
申请公布日期 |
2014.11.05 |
申请号 |
CN201410363568.X |
申请日期 |
2014.07.29 |
申请人 |
北京大学东莞光电研究院 |
发明人 |
刘南柳;陈蛟;郑小平;张国义 |
分类号 |
C30B29/40(2006.01)I;C30B19/06(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/40(2006.01)I |
代理机构 |
东莞市冠诚知识产权代理有限公司 44272 |
代理人 |
杨正坤 |
主权项 |
一种制备氮化物单晶体材料的工业化装置,其特征在于:包括反应釜体(1)、N<sub>2</sub>输入通道(51)、N<sub>2</sub>输入通道阀门(61)、坩埚(9)和N<sub>2</sub>供应装置,所述N<sub>2</sub>通过N<sub>2</sub>输入通道(51)和N<sub>2</sub>输入通道阀门(61)通入所述反应釜体(1)内的反应室N<sub>2</sub>区域(2),所述反应室N<sub>2</sub>区域(2)通过所述N<sub>2</sub>供应装置与所述坩埚(9)内的反应室Ga‑Na溶液区域(3)连通;所述N<sub>2</sub>供应装置包括N<sub>2</sub>循环通道(52)、N<sub>2</sub>循环通道阀门(62)、N<sub>2</sub>循环通道高位分阀门(63)、N<sub>2</sub>循环通道低位分阀门(64)、高位加压装置(71)、低位加压装置(72)、高位供N<sub>2</sub>终端口(81)和低位供N<sub>2</sub>终端口(82);所述N<sub>2</sub>循环通道(52)的一端与所述反应室N<sub>2</sub>区域(2)连通,所述N<sub>2</sub>循环通道(52)的另一端通过所述高位供N<sub>2</sub>终端口(81)、低位供N终端口(82)与所述反应室Ga‑Na溶液区域(3)连通;所述N<sub>2</sub>循环通道高位分阀门(63)、高位加压装置(71)控制所述高位供N<sub>2</sub>终端口(81)的流通,所述N<sub>2</sub>循环通道低位分阀门(64)、低位加压装置(72)控制所述低位供N<sub>2</sub>终端口(82)的流通。 |
地址 |
523000 广东省东莞市松山湖创新科技园1号楼4层北京大学东莞光电研究院 |