一种金属离子源和真空镀膜系统

摘要

本申请公开了一种金属离子源和真空镀膜系统。本申请的金属离子源，将其磁控靶设计成圆筒状，即安装在圆柱筒的外壳内，相应的在外壳内设置磁性元件和冷却系统，并采用引出栅引出离子束流。本申请的金属离子源，将磁控放电相对封闭在圆柱筒内，工作时，利用引出栅将离子束流引出，可以引出100％的离子束流，且束流中不含“金属液滴”；同时，本申请的靶面面积远远大于引出束流面积，引出束流密度大大提高，因此具有不需要过滤装置、快速沉积或大剂量注入的优势，可用于快速常规“束线性”薄膜沉积或大剂量高能离子注入。

主权项

一种金属离子源，其特征在于：包括外壳(11)、若干个磁性元件(12)、铜套(13)、磁控靶(14)、熄弧罩(15)、冷却系统(16)、磁钢(17)、网孔状的引出栅(18)和引出电场正极(19)；所述外壳(11)呈中空的圆柱筒状；所述磁钢(17)、冷却系统(16)、铜套(13)和磁控靶(14)依序层叠铺设于外壳(11)内，且都不与外壳(11)导通；磁控靶(14)嵌在铜套(13)内，若干个磁性元件(12)均匀的镶嵌在磁钢(17)上；熄弧罩(15)固定于圆柱筒外壳的两端，并将依序层叠设置在外壳(11)内的磁钢(17)、冷却系统(16)、铜套(13)和磁控靶(14)的两端包裹住，熄弧罩(15)与磁性元件(12)、铜套(13)、磁控靶(14)和磁钢(17)之间留有间隙，均不导通；所述引出栅(18)固定在圆柱筒状外壳(11)的一端，所述引出电场正极(19)固定在圆柱筒状外壳(11)的另一端，引出栅(18)和引出电场正极(19)均采用绝缘材料与外壳(11)固定连接。