发明名称 |
磁阻传感器的制造方法 |
摘要 |
本发明提出一种磁阻传感器的制造方法,包括下述步骤:首先提供基材。接着在基材上形成至少一个磁阻元件及与磁阻元件电性连结的至少一个焊垫。然后,在磁阻元件及焊垫上形成护层。再在护层上形成一个磁性屏蔽与集中结构,对应磁阻元件。之后再在护层上形成开口,将焊垫开口定义出来。本发明的磁阻传感器的制造方法,可提高磁阻传感器的制程良率,同时降低制造成本。 |
申请公布号 |
CN102655208B |
申请公布日期 |
2014.11.05 |
申请号 |
CN201110069017.9 |
申请日期 |
2011.03.22 |
申请人 |
宇能电科技股份有限公司 |
发明人 |
刘富台;梁志坚;李乾铭 |
分类号 |
H01L43/12(2006.01)I;G01R33/09(2006.01)I |
主分类号 |
H01L43/12(2006.01)I |
代理机构 |
上海波拓知识产权代理有限公司 31264 |
代理人 |
杨波 |
主权项 |
一种磁阻传感器的制造方法,其特征在于:所述方法包括:提供基材;在所述基材上形成至少一个磁阻元件以及至少一个焊垫,所述焊垫与所述磁阻元件电性连结;在所述基材上形成护层,覆盖所述磁阻元件和所述焊垫;在所述护层上形成磁性屏蔽与集中结构,位于所述磁阻元件的上方,并与所述磁阻元件之间间隔所述护层;以及在所述护层上形成开口,藉以将所述焊垫暴露出来。 |
地址 |
中国台湾新竹县竹北市台元一街1号6楼之1 |