反应器表面的选择性蚀刻

摘要

本发明提供组合物、方法及系统，其允许选择性蚀刻反应器金属部件(例如钛及/或钛合金)上的金属氧化物。所述蚀刻组合物包括碱金属氢氧化物及五倍子酸。所述方法适用于清洁用于沉积诸如氧化铝的金属氧化物膜的反应室。

主权项

一种用于选择性蚀刻半导体反应器的金属部件上的金属氧化物的方法，所述方法包括：使所述金属部件的表面与碱性蚀刻剂接触，其中所述金属氧化物存在于所述金属部件的所述表面上，所述金属氧化物包括氧化铪、氧化锆和氧化铝中的至少一种，所述碱性蚀刻剂能有效蚀刻所述金属氧化物，以及所述金属部件易受所述碱性蚀刻剂的化学侵蚀；以及使所述金属部件的所述表面与抑制剂接触，所述抑制剂能有效抑制所述碱性蚀刻剂对所述金属部件的化学侵蚀，其中使所述金属部件的所述表面与所述碱性蚀刻剂及所述抑制剂接触包括选择性蚀刻所述金属部件上的所述金属氧化物，其中蚀刻选择性为至少20∶1。