聚有机硅氧烷和获自该聚有机硅氧烷的封装材料以及包括该封装材料的电子器件

摘要

本发明公开内容提供了一种聚有机硅氧烷组合物，该组合物包括具有线性结构且包括由以下化学式1表示的部分和由以下化学式2表示的部分并在两端包括双键的第一聚有机硅氧烷树脂，以及具有三维网状结构的第二聚有机硅氧烷树脂；通过固化该聚有机硅氧烷组合物而制备的封装材料；以及含有该封装材料的电子器件。该聚有机硅氧烷组合物使得抗裂性增加以确保发光元件的安全稳定性并降低了胶粘性以改善其可加工性，而且还保持了高耐热性和耐光性。[化学式1]          [化学式2]

主权项

一种聚有机硅氧烷组合物，包含第一聚有机硅氧烷树脂，其具有线性结构，且包括由以下化学式1表示的部分和由以下化学式2表示的部分，并且在两端包括双键，以及第二聚有机硅氧烷树脂，其具有三维网状结构并由以下化学式3表示：[化学式1][化学式2][化学式3][R⁷SiO_3/2]_T[R⁸R⁹SiO]_D[R¹⁰R¹¹R¹²SiO_1/2]_M其中，在化学式1或2中，A为包括至少两个脂环族环的有机基团、包括至少一个芳环的有机基团、或它们的组合，R¹至R⁶各自独立地是取代的或未取代的C1至C10烷基、取代的或未取代的C3至C20环烷基、取代的或未取代的C6至C20芳基、取代的或未取代的C7至C20芳烷基、取代的或未取代的C1至C20杂烷基、取代的或未取代的C2至C20杂环烷基、取代的或未取代的C2至C20烯基、取代的或未取代的C2至C20炔基、取代的或未取代的C1至C10烷氧基、卤素、或它们的组合，并且n的范围为1至50，并且在化学式3中，R⁷至R¹²各自独立地是取代的或未取代的C1至C10烷基、取代的或未取代的C3至C20环烷基、取代的或未取代的C6至C20芳基、取代的或未取代C7至C20芳烷基、取代的或未取代的C1至C20杂烷基、取代的或未取代的C2至C20杂环烷基、取代的或未取代的C2至C20烯基、取代的或未取代的C2至C20炔基、取代的或未取代的C1至C10烷氧基、卤素、或它们的组合，条件为R¹⁰、R¹¹和R¹²中的至少一个是C2至C20烯基，T>0，D≥0，M>0，且T+D+M＝1。