发明名称 半導体装置及びその製造方法
摘要 <p>A semiconductor device includes a memory element including a stack structure stacking an insulator film and a metal film or a metal compound film; and a transistor including a gate structure having an identical stack structure as that of the memory element.</p>
申请公布号 JP5617380(B2) 申请公布日期 2014.11.05
申请号 JP20100145003 申请日期 2010.06.25
申请人 发明人
分类号 H01L27/10;G11C17/14;G11C29/00 主分类号 H01L27/10
代理机构 代理人
主权项
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