单向自旋力矩转移磁性存储器单元结构

摘要

本发明揭示经配置以单向编程的自旋力矩转移磁性随机存取存储器装置及对所述装置进行编程的方法。所述装置包括存储器单元(50)，所述存储器单元(50)具有两个针扎层(102、110、216、224、310、354、366、408、416、464、472、502、510、566、574)及所述两个针扎层之间的自由层(106、220、358、362、412、468、506、570)。通过利用两个针扎层(102、110、216、224、310、354、366、408、416、464、472、502、510、566、574)，分别来自所述两个针扎层(102、110、216、224、310、354、366、408、416、464、472、502、510、566、574)中的每一者的对所述自由层(106、220、358、362、412、468、506、570)的自旋力矩效应容许以单向电流对所述存储器单元(50)进行编程。

主权项

一种自旋力矩转移磁性随机存取存储器单元，其包含：顶部针扎层；底部针扎层；及自由层，其布置于所述顶部针扎层与所述底部针扎层之间；其中所述存储器单元经配置以由单向电流对其进行编程，其中来自由所述底部针扎层所极化的电流的对所述自由层的自旋力矩效应相反于来自由所述顶部针扎层所反射的电流的对所述自由层的自旋力矩效应。