浅沟槽隔离结构形成方法

摘要

一种浅沟槽隔离结构形成方法，包括：提供衬底，所述衬底上依次形成有衬垫氧化层和氮化硅层，所述衬垫氧化层和氮化硅层内形成有暴露出衬底的开口；沿开口刻蚀所述衬底形成浅沟槽，所述浅沟槽侧壁顶部的拐角为弧形；去除与浅沟槽侧壁顶部对应的氮化硅层直至暴露出衬垫氧化层；在所述浅沟槽侧壁、顶部和底部形成保护氧化层；在氮化硅层表面和衬垫氧化层表面形成填充所述浅沟槽的隔离介质层；去除隔离介质层直至暴露出氮化硅层；去除氮化硅层和衬垫氧化层。本发明形成的浅沟槽隔离无边沟现象。

主权项

一种浅沟槽隔离结构形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上依次形成有衬垫氧化层和氮化硅层，所述衬垫氧化层和氮化硅层内形成有暴露出衬底的开口；沿开口选用工艺参数为：刻蚀腔室压力为15至35毫托，射频功率为400瓦至500瓦，射频偏压为150伏至250伏，HBr流量为30SCCM至40SCCM，CHF3流量为140SCCM至160SCCM的对拐角刻蚀强的等离子体工艺刻蚀所述衬底形成浅沟槽，所述对拐角刻蚀强的等离子体工艺是通过控制等离子体刻蚀工艺中的刻蚀偏压和刻蚀气体使得凸出的拐角带电荷，吸引刻蚀的等离子体，使得拐角的刻蚀速度大于其他位置的刻蚀速度，使得所述浅沟槽侧壁顶部的拐角为弧形；去除与浅沟槽侧壁顶部对应的氮化硅层直至暴露出衬垫氧化层；在所述浅沟槽侧壁、顶部和底部形成保护氧化层；在氮化硅层表面和衬垫氧化层表面形成填充所述浅沟槽的隔离介质层；去除隔离介质层直至暴露出氮化硅层；去除氮化硅层和衬垫氧化层。