一种浅沟槽隔离结构的制造方法

摘要

本发明提供一种浅沟槽隔离结构的制造方法，利用三层硬掩膜层的刻蚀率，保证了与基底硅接触的硬掩膜层的回拉距离，同时能通过上层硬掩膜扩大工艺窗口，形成了一个双层阶梯状结构，满足沟槽圆角效果和绝缘介质填充的工艺要求。

主权项

一种浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：在一半导体衬底上依次形成第一硬掩膜层和第二硬掩膜层；以第一硬掩膜层为刻蚀停止层，刻蚀所述第二硬质掩膜层形成浅沟槽图案；在所述第一硬掩膜层和第二硬掩膜层上形成第三硬掩膜层；以第三硬掩膜层和第二硬掩膜层为掩膜层，刻蚀第一硬掩膜层和半导体衬底，形成浅沟槽；对所述浅沟槽处的第一硬掩膜层和第二硬掩膜层进行硬掩膜回拉刻蚀，以增大浅沟槽的开口宽度；在所述浅沟槽中填充绝缘介质，形成浅沟槽隔离结构。